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JBX-3200MV电子束光刻系统
JBX-3200MV 电子束光刻系统JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速
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JBX-9500FS电子束光刻系统
JBX-9500FS 电子束光刻系统JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统,兼具世界zei高水平的产出量和定位精度,zei大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版,适合纳米压印
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JBX-3050MV 电子束光刻系统
JBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速
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JBX-6300FS 电子束光刻系统
JBX-6300FS 电子束光刻系统JBX-6300FS的电子光学系统在100kV的加速电压下能自动调整直径为(计算值)2.1nm的电子束,简便地描画出线宽在8nm以下(实际可达5nm)的图形
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JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统
JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统zei新高精密JBX-8100FS圆形电子束光刻系统,通过全方位的设计优化,实现更简便的操作,更快的刻写速度,更小的占地面积和安装空间,并且更加绿色节能。产品
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日本电子JBX-9500FS电子束光刻系统
JBX-9500FS 电子束光刻系统JBX-9500FS是一款100kV圆形束电子束光刻系统,兼具世界zei高水平的产出量和定位精度,zei大能容纳300mmφ的晶圆片和6英寸的掩模版,适合纳米压印
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀
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