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磁控溅射源/靶枪
技术参数: 我们提供多种口径的圆形平面靶枪,尺寸1", 2" and 3". 以及矩形靶枪 安装法兰口径:NW63CF,NW100CF 真空腔体内长度范围:150-400mm
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芯硅谷 电动移液枪
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VTC-600-1HD单靶磁控溅射仪
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VTC-600-2HD双靶磁控溅射仪
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VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪
VTC-600-3HD三靶磁控溅射仪是新自主研制开发的镀膜设备,可用于制备单层或多层铁电薄膜、导电薄膜、合金薄膜、半导体薄膜、陶瓷薄膜、介质薄膜、光学薄膜、氧化物薄膜、硬质薄膜、聚四氟乙烯薄膜等。
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VTC-600-3HD-1000三靶磁控溅射仪
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三靶射频磁控溅射镀膜仪
(自动匹配)注意:100W手动调节的RF(射频)电源价格较低,但是每一次对于不同的靶材,都需要手动设置参数才能产生等离子体,比较耗费时间。300W自动匹配的RF(射频)电源,价格较昂贵,但比较节约时间
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Agilent PHD-4 便携式吸枪检漏仪
PHD-4 对氦浓度十分敏感,能够检测出浓度低至 2 ppm 的氦气,相当于 5 x 10 -6 atm-cc/s 泄漏速率,远优于其他检漏方法(如气泡检漏)。
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安捷伦 便携式吸枪检漏仪 PHD-4
PHD-4 吸枪检漏仪轻便耐用,对氦气的灵敏度可达到 2 ppm,相当于泄漏速率为 5 x 10–6 atm-cc/s,远胜于气泡检漏、染料渗透检漏和压降检漏。PHD-4 的高灵敏度依赖于
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伯乐基因枪PDS-1000/HE
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