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锑化铟(InSb)晶体基片
产品名称:锑化铟(InSb)晶体基片产品简介:技术参数: 单晶 InSb 掺杂 None;Te;Ge 导电类型 N;N;P 载流子浓度cm-3 1-5x1014 1-2x1015 位错密度cm-2
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Qsense石英晶体微量天平
Qsense石英晶体微量天平一、传感器和样品处理系统:1、 传感器数量:8(流动模式中最多至4个平行测试)2、 传感器上方容积:~40μL3、 最小样品用量:~100μL4、 工作温度:4
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锑化镓(GaSb)晶体基片
产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型P P- P+ N载流子浓度
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无截止单模光子晶体光纤
参数指标: Product referenceP-ESM-XX-YYYCladding diameter(um)125(+/- 5 um)Core diameter(um)9 (+/- 0.2
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砷化铟(InAs)晶体基片
产品名称:砷化铟(InAs)晶体产品简介:技术参数:晶体结构:立方 a =5.4505 ?生长方法:CZ导电类型:N型掺杂类型:不掺杂载流子浓度:2 ~ 5E16 / cm3 迁移率
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光子晶体光纤(PCF)连接头
S-end-cap S号端帽§ 端帽直径:125 μm§ 端帽长度:≤100 μm§ 抛光角度:0°§ 材料: 纯硅M-end-cap M号端帽§ 端帽直径:从125
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氧化锆(YSZ)晶体基片
产品名称:氧化锆(YSZ)晶体基片产品简介:氧化锆(ZrO2)由于ZrO2单晶需掺入钇(Y)以稳定其结构, 一般实际使用的是YSZ单晶――加入钇稳定剂的氧化锆单晶。它机械、化学稳定性好,价格
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砷化镓(GaAs)晶体基片
产品名称:砷化镓(GaAs)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:砷化镓(GaAs)掺杂:None;Si;Cr;Te;Zn导电类型:Si;N;Si;N;P载流子浓度cm-3:/> 5x1017
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氟化锂光学晶体窗片
>50%)40/20VUVLIFP50-3U50.8mm×3.0mm>40%(typ.>50%)40/20VUV LiF(氟化锂)晶体在 真空紫外线区域中显示出优异的透射率。它用于可见光
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二维轮廓投影仪
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