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SWC-4000 (D) 兆声湿法去胶系统
支持12”直径的圆片或9”x9”方片 30”D x 26”W 的占地面积 机械手自动上下载片 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和
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SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统
Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗支持12”直径的圆片或9”x9”方片30”D x 26”W 的占地面积PVA软毛刷清洗 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和
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NPC-3000 等离子清洗机去胶机
兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台最多可支持4个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀机械泵的压力可达到
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NIE-3000 (C) 离子束清洗系统
离子束:高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径:4“,5“,6“兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮
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NMC-3000 MOCVD金属有机化学气相沉积系统
独立式系统ICP或者微波等离子源14”立方的电抛光不锈钢腔体8”或者12”的基片夹具700°C旋转基片夹具用于6”样品台,950°C用于4”样品台增加鼓泡器和MFC自动上下片集群配置可兼容
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磁控溅射系统NSC-4000 (M
基板支持加热(最高可达800°C)或冷却支持旋转GLAD斜角入射沉积腔体尺寸可定制1.5-5KW脉冲之流电源用于ITO/ZnO等类似材料 NANO-MASTER的溅射系统可构建成多腔体和多
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NDT-4000 热真空系统
· 主腔体尺寸为:50"Hx50"Wx26"D· 制冷单元尺寸为:67"Hx36"Wx26"D· 制冷单元变压器:27"Hx23"Wx15"D
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NRE-4000 (M) 反应离子刻蚀
极限真空5x10-7Torr,20分钟内可以达到10-6Torr级别涡轮分子泵最多支持8个MFC菜单驱动,4级密码访问保护 该系统是基于PC控制的全自动系统.具有高度的可重复性。 铝质腔体
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NPE-4000 (ICPM) 等离子增强化学气相沉积系统
立式ICPECVD系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrICP离子源高达12”(300mm)直径的样品台 该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具有分形气流分布的
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光学元件原子级涂覆系统
光学涂层溅射IBAD离子束辅助沉积离子束刻蚀清洗离子束辅助反应刻蚀红外涂层表面处理 光学涂覆系统提供最先进的技术,系统的设计也可以支持其中任一个腔体的单独使用,同时具备各自的自动上/下载片功能
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