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NSC-4000 (A) 全自动磁控溅射系统
RF、DC溅射热蒸镀能力RF或DC偏压(1000V)样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗 NSC-4000(A)全自动磁控溅射系统概述:带有水冷或者加热(最高可加热到
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NPE-4000 (ICPA) 全自动等离子体化学气相沉积系统
等离子诱导表面改性:就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗:去除有机污染物等离子聚合:对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石),以及其它薄膜
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NPE-4000 (A) 全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统
等离子诱导表面改性:就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗:去除有机污染物等离子聚合:对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石),以及其它薄膜
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NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统
等离子诱导表面改性:就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗:去除有机污染物等离子聚合:对材料表面产生聚合反应,沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石),以及其它薄膜
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NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统
等离子诱导表面改性:就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗:去除有机污染物等离子聚合:对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石),以及其它薄膜
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NLD-4000 (A) ALD全自动原子层沉积系统
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN
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NLD-4000 (M) 原子层沉积系统
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN
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NLD-3000 ALD原子层沉积系统
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN
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NRE-4000 (A) 全自动反应离子刻蚀
能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率,400 ?/min高达12”的阳极氧化铝RF样品台极限真空5x10-7Torr,20分钟内可以达到10-6Torr级别最多支持
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NPC-4000(M) 等离子刻蚀机
有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性,消除键合问题塑料的表面改型:O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面
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