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S2281 硅光电二极管
to 1100 nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 500 pA 上升时间(典型值) 3 μs 结电容 1300 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非
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S1223 硅光电二极管
详细参数 感光面积 2.4 × 2.8 mm 象元数 1 封装 金属 封装类型 TO-5 反偏电压(zei大) 30 V 光谱响应范围 320 to 1100 nm 峰值波长
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S1087 硅光电二极管
to 730 nm 峰值波长 560 nm 灵敏度 0.3 A/W 暗电流 10 pA 上升时间(典型值) 0.5 μs 结电容 200 pF S1087是一款低暗电流陶瓷封装光电二极管
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MMA72全自动烷基汞分析仪
检测方法依据U.S. EPA1630,超痕量检出限完全满足目前国内烷基汞的检测需求,适用于样品的批量分析。 全自动烷基汞分析仪采用吹扫捕集富集,气相色谱分离,高温热裂解及CVAFS(冷原子荧光检测器
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可重复用灌胃针(规格可选)
C21001-20 可重复用灌胃针(规格可选) ¥56.00 灌胃器是由不锈钢制成,坚固耐用不生锈,易清理。标准注射器接口。 C21001-20 可重复用灌胃针(规格可选) ¥56.00
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S1337-21 硅光电二极管
960 nm 灵敏度 0.52 A/W 暗电流 500 pA 上升时间(典型值) 8 μs 结电容 4000 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度
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S1787-04 硅光电二极管
nm 峰值波长 560 nm 灵敏度 0.3 A/W 暗电流 10 pA 上升时间(典型值) 2.5 μs 结电容 700 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为
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S1787-08 硅光电二极管
960 nm 灵敏度 0.58 A/W 暗电流 10 pA 上升时间(典型值) 2.5 μs 结电容 700 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度:λ=λp
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S1787-12 硅光电二极管
650 nm 灵敏度 0.35 A/W 暗电流 20 pA 上升时间(典型值) 0.5 μs 结电容 200 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度:λ=λp
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S12271 硅PIN光电二极管
960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 30000 pA 截止频率 60 MHz 结电容 10 pF大面积、高速度的PIN光电二极管,适用于紫外到近红外的光度测定 S
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