温度范围:RT~450°C;前驱体路数:最大支持4路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶
温度范围:RT~500°C (可定制);前驱体路数:最大支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶
工艺温度:温度范围:RT~500°C (可定制);前驱体路数:支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶
NLD-4000(M)原子层沉积系统:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以及无孔
PICOSUN®R-200标准ALD系统适用于数十种应用的研发,例如IC组件,MEMS器件,显示器,LED,激光和3D对象,例如透镜,光学器件,珠宝,硬币和医疗植入物。热ALD研究工具的市场领导者。它已成为创新驱动的公司和研究机构的首选工具。
PICOSUN™ R-200 Advanced,有热法原子层沉积系统与等离子体增强原子层沉积系统高级型ALD可以添加前沿的微波等离子体辅助增强模块Microwave Plasma, 这种微波等离子体增强原子层沉积系统在颗粒、薄膜致密性表现更好,同时有可能沉积具有挑战性的一些氮化物薄膜,如氮化硅等。
NLD-4000(ICPM)PEALD系统:ALD原子层沉积可以满足准确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以
NLD-3500(A)全自动原子层沉积设备:ALD原子层沉积可以满足精确膜厚控制以及高深宽比结构的保形沉积,这方面ALD原子层沉积远超过其它沉积技术。由于前驱体流量的随意性不会带来影响,所以在ALD原子层沉积中有序、自限制的表面反应将会带来非统计的沉积。这使得ALD原子层沉积膜保持高度的光滑、连续以
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