-
NPC-4000(M) 等离子刻蚀机
-
NPC-4000(A)全自动等离子刻蚀机
计算机控制的气动阀带密码保护的多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁
-
NPC-3500(M)等离子刻蚀机
多级访问控制基于LabView软件的PC计算机全自动控制机械泵的压力可达到10mTorr250 l/s的涡轮分子泵极限真空为5x10-7Torr完整的安全联锁
-
NPC-3500(A)全自动等离子刻蚀机
、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持5个MFC带电抛光的气体管路
-
NIE-4000 (M) IBE离子束刻蚀
离子束刻蚀产品特点:优化的14”立方的电抛光不锈钢腔体水冷±90°自动倾斜旋转基片夹具带不锈钢气体管路及气动截止阀的MFC直流离子源1cm-16cm 6”基片的刻蚀均匀度±1.2% 能够控制基片温度在
-
SWC-3000 (M) 兆声掩模板清洗机
带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗
-
SWC-3000 (D) 兆声辅助光刻胶剥离系统
可以在我们的系统中以zei低的投资和购置成本来实现。NANO-MASTER清洗机的工艺处理时间可以在3-5分钟内完成,具体是3分钟还是5分钟取决于基片的尺寸以及附加的清洗配件的使用情况
-
SWC-4000 (C) 兆声清洗系统
-
SWC-3000 (W) 兆声晶圆清洗机
Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗 PVA软毛刷清洗 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平,可以帮助
-
SWC-4000 (D) 兆声湿法去胶系统
支持12”直径的圆片或9”x9”方片 30”D x 26”W 的占地面积 机械手自动上下载片 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和
想在此推广您的产品吗?
咨询热线: 010-84839035
联系邮箱: sales@antpedia.net