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矩阵探测器PIXcel
技术参数:PIXcel 的像素数超过 65,000 个每个像素大小为 55 x 55 微米每秒每像素行超过 2500 万个计数 矩阵探测器PIXcel,一种涵盖所有 XRD 应用领域的探测器
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PSD位置探测器
μrad PSD 4D e: PSD位敏探测器(实验级)? 类似 "PSD 4D i",但是离散元件PSD4D i? 易于适应实验装置和更高的精确度: < 10 nm,< 10 nrad PSD
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高速光电探测器
高速光电探测器,500-1630 nm,45 GHz,FC 单模输入型号: 1014技术参数探测器材料InGaAs探测器直径12 μm波长范围500-1630 nm3 dB 带宽DC
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CMOS平板探测器
CMOS X射线相机由单个半导体硅片制成,可直接探测可见光或配合闪烁晶体用于探测X光和其它高能辐射。针对不同应用,可配备不同厚度Gadox或针状CsI闪烁体,是医学诊断,工业检测,科学成像的理想
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硅光电探测器
仪器简介: 硅光电探测器(Si) ———室温型探测器,波长范围:200-1100nm 技术参数: 型号列表及主要技术指标: 技术指标\型号名称
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GPD光电探测器
量青光电代理美国GPD公司全线产品 成立于1973年的GPD公司,一直致力于高速锗晶体和光电探测器的研发和生产,为用户提供用于辐射探测和电信应用的Ge,p-n,APD和InGaAs
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Andor单点探测器
除CCD 及InGaAs 阵列探测器以外,Andor 提供大量单点探测器配合Shamrock 系列光谱仪使用,以便扩展光谱仪的应用方式和波段范围:? PMT 探测器,185 - 900nm
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烟雾探测器测试微粒
技术参数成分:聚苯乙烯密度:1.05g/cm3折射指数:1.59@589nm(25°C)添加剂:含微量表面活性剂以抑制微粒聚集 标称直径产品描述瓶装规格固体%货号无烟雾探测器测试微粒
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高速光电探测器配件
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Microtech-热电探测器
噪音水平1.0mV1.0 mV电源电压(2AA电池)2 x 1.5 V电源电流0.14 mV使用电池寿命> 10,000 hours尺寸135 x 40 x 30 m 热电探测器是基于LiTa03晶体
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