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金刚石薄膜(高电阻DOI)
产品名称:DOI(金刚石薄膜Diamond?on?Oxide)技术参数:基底尺寸:dia4"x0.5mmSi晶向:±0.5°绝缘层:SiO2薄膜厚度:2um氧化层:1um电阻率:10E3
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Si/SiO2/Ta/Cu薄膜
产品名称:Si/SiO2/Ta/Cu薄膜?(进口?Cu?Epi?Film?Coated?on?Ta/SiO2/Si?Wafer)技术参数:Cu参数:100nm400nm(highly
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薄膜摩擦系数测试仪
薄膜摩擦系数测定仪技术参数:样品厚度:≤2mm滑块尺寸:63x63mm滑块质量:200±2g测量精度:±2%测量精度:0.01有效行程:100 mm滑块运动速度:100±10mm/min测力
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Si+Si3N4薄膜
产品名称:Si+Si3N4薄膜(进口料Silicon Nitride Film (PE-CVD) on Front Polished Side of Silicom Wafer P type
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No.604 薄膜扭转试验机
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港东 SGC-10薄膜测厚仪
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DSM Xplore 微型薄膜成型机
技术参数:• 完全尺寸:43×16×25cm • 重量:约10kg • 2个卷筒提升机 速度控制:100~5000mm/min 扭矩控制:230个可调节的1N/mm间隔 • 薄膜口
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InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜
产品名称:InP上镀InP/InGaAs/InP薄膜(dia3”InP/InGaAs/InP EPI on InP ) 产品参数:薄膜生长方法:MOCVD deposition基底参数:N型
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薄膜应力量测仪Line Card
Line Card 3DIC TSV and BWS TTV硅片表面形貌测量Film Stress薄膜应力量测仪FEOL Electrical Characterization 电学
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塑料薄膜电压击穿试验仪
电压击穿试验仪LJC-50KV的主要技术参数:01、输入电压: 交流 220 V02、输出电压: 交流 0--20KV ; 直流 0—20kv03、电器容量:3KVA04、高压分级:0—20KV
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