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华利达可叠式冷冻振荡器 HZ-2210K-2
主要技术参数 振荡速度20-300rpm温度范围5-50℃ 精度:≤±0.1℃时间控制温度定时0-99.9h 振荡定时0-99.59h/连续显示形式LED数码显示或LCD液晶显示 选配控制
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PMI(锂电池)电池隔膜孔隙度分析仪(水挤法)
仪器简介 锂电池隔膜孔隙度分析仪(水挤法Aquapore)是属于挤入式孔径分析仪,使用介质为水,藉由水无法润湿疏水材料之原理,将水于不同压力挤入材料孔隙内,用来测量材料中之非亲水性的孔体积
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LHT 02/16 - LHT 08/18带有 MoSi2加热元件的高温台式炉
升降门可调节的进气口,炉顶设有排气口型热电偶带移相触发的可控硅开关系统(SCRs) 标配P310控制器,多段程序控温 额外配置可叠放的四方形装料容器,最多可装三层料过温保护限制器,根据EN
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极致型多入射角激光椭偏仪(光伏专用
仪。 EMPro-PV用于测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池表面减反膜镀层的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可测量光滑平面材料上的单层或多层纳米薄膜的膜层厚度,以及在632.8nm下折射率n和
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RTS-3型手持式四探针测试仪
探针测试仪是运用四探针测量原理的多用途综合测量设备。该仪器按照单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准而设计的,专用于测量硅晶块、晶片电阻率及扩散层、外延层、ITO导电箔膜、导电橡胶
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Tytronics Sentinel 硅在线分析仪
工作量最小化 测量原理分光光度法检测。样品与钼酸反应,生成b-硅钼酸,然后加入还原剂1-氨基-2-萘酚-4-磺酸,由硅钼黄变成硅钼蓝,在810 nm处测定,得到二氧化硅的浓度a.测量范围:低浓度
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硅表排污弯头2230PVDF
美国ORION公司2030硅表/2230硅表/2230XP硅表配件序号配件名称单位订货号备注1空气阀230807-0012数字转换板230808-0013显示模块230809-0014光纤
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硅分析仪2800Si
规格 - 2800Si硅分析仪(又名硅离子分析仪、在线硅表、全自动硅表)Range0-5000ppbDetection limit0.8ppbТочность读数的 ± 5%,±1
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硅晶片清洗设备供应商
硅晶片清洗腐蚀设备 ES1000 100000产品信息:广泛用于IC生产及半导体元器件生产中晶片的湿法化学工艺;有效去除晶片表面的有机物、颗粒、金属杂质、自然氧化层及石英、塑料等附件器皿的
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炉前快速碳硅分析仪
设有多条检测线,针对不同牌号的铁水以及各工厂铁水的实际情况选择恰当的检测线,使检测更科学准确。 测量原理:通过微处理器进行温度曲线的采集,通过铁水结晶法来测量计算碳硅成份及铁水品质。主要参数: 测温
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