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离子探针分析仪的基本原理简介
2021-11-15来源: 互联网 -
KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射 WS2 薄膜
2021-03-19来源: 互联网 -
离子溅射仪器的技术指标
:程序化数字控制,最大电流40mA; (5)溅射头:低电压平面磁控管; (6)厚度监控:MTM-20高分辨厚度控制仪,可自动终止溅射过程。
2021-10-30来源: 网络 -
离子束加工跟等离子体加工的原理有何不同
2022-08-26来源: 互联网 -
祝贺江苏大学磁控溅射系统成功应用六周年
2022-07-28来源: 那诺-马斯特中国有限公司 -
KRI 考夫曼射频离子源 RFICP220 溅射沉积 ZnNi 合金薄膜
2021-03-10来源: 互联网 -
伯东 KRI 考夫曼离子源用于大口径光学元件 KDP 晶体的溅射与刻蚀
2020-11-09来源: 互联网 -
KRI 考夫曼射频离子源 RFICP140 溅射多层沉积 Nb3Sn 超导薄膜
2021-03-17来源: 互联网 -
转荷型和溅射型负离子源的介绍
2022-03-04来源: 互联网 -
KRI 考夫曼射频离子源 RFICP380 辅助磁控溅射沉积 Cu-W 膜
2021-01-11来源: 互联网
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