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离子铣削系统
离子铣削系统产品规格离子源两个离子枪:集中的高能离子枪操作从10 keV或可选的超高能离子枪,可操作高达16 keV聚焦低能离子枪的范围为100eV至2keV光束电流密度:最大。聚焦高能离子
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离子分析仪
mm):290×200×70。 6、重量, kg:约1。 全中文操作界面,使用简单、方便。PXSJ-226型离子分析仪仪器特点: 全中文操作界面,使用简单、方便。仪器具有多点标定(zui多5
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等离子刻蚀ICP
Minilock-Phantom III具有预真空室的反应离子刻蚀机可适用于单个基片或带承片盘的基片(3”- 300mm尺寸),为实验室和试制线生产环境提供最先进的刻蚀能力。它也具有多尺寸
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BreathSpec离子迁移谱
技术参数 工作原理 气相色谱-离子迁移谱(GC-IMS) 电离源 β射线源(氚3H) 放射性强度 300MBq 低于GB18871-2002《电离辐射防护与辐射源安全基本标准》附录
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离子铣削系统
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小型离子溅射仪
真空溅射仪是目前较为先进的对样品进行预处理的仪器。主要适用于 SEM和X射线微观分析等表征工作前的镀金等贵金属处理。排除了真空 度对成膜质量的影响。溅射电流,可&ldquo
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离子迁移谱IMS
在氮气或空气中,反应物离子为 H+(H2O)n(正模式)或 O2-(H2O)n(负模式)。当分析物对反应物离子的亲和力高于水的亲和力时,分析物的化学电离通过反应物离子会导致特定分析物离子的形成
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IonEtch Sputter Gun溅射离子枪,等离子体发生源
技术指标:离子能量25eV - 5keV总的离子束电流1mA (at 5kV with Argon)High Current Version: up to 4mA (at 5kV
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等离子清洗用于半导体晶元微电子封装离子机
真空等离子技术: 等离子体在封闭的真空中活生生,与常压条件下相比,每个单位体积中的微粒数较少,这样就增加了粒子自由程长度,并相对减少了碰撞过程,因此,等离子体能量削弱的倾向减弱,可以
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Helios G4 FX 等离子聚焦离子束 (FIB) 系统
Phoenix 离子镜筒结合在一起,实现zei快、zei简单、zei精确的高品质样品制备。除了zei先进的电子和离子光学元件,Helios G4 FX 还采用了一套先进的技术,可以进行简单和一致的
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