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最近一直在做关于氯硅烷中痕量磷杂质分析的试验,工作做了不少,但是结果,说老实话,并不令人满意。
而和国内拥有某电子级三氯氢硅生产专利的厂家交流,也未得到积极的回应,很失望。(说明一下,电子级三氯氢硅国家标准和电子级三氯
2014年07月28日发布人:vbnm
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5%葡萄糖注射液,121或115度湿热灭菌后杂质(5-羟甲基糠醛)增加,好像还有次降解产物三酰乙酸,请问大家这如何控制?谢谢!,多数是糖质量不好,其次调好合适的PH 活性炭可以考虑适当增加,我们的葡萄糖是罗盖特的,专门做注射液用的,乳糖中
2014年07月13日发布人:a456
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现在很多EP,USP甚至CH.P的标准,都有用主成分峰的保留时间进行定位其它杂质的方法,但是实际工作中由于各个实验条件的差异,很难用相对保留时间完美的定性出特定的杂质,这就给结果的计算造成了困难。比如我主峰的保留时间是10min,他的杂质
2011年04月11日发布人:yanyu9808
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[size=2][color=Black][b][分享]Caco-2细胞培养的一点重要经验 (转载)
这个细胞对生长环境的要求非常之高。除了大家熟知的培养液条件的苛刻外(此不详述,又不懂的可留言问),对生长的空间问题
2011年12月01日发布人:四福晋
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请问有版友做过Te9999、Bi99.997、Se-1、Sb-4N等的杂质分析吗?一个ICP-OES可以完成这些杂质分析吗?测试的标准方法是什么?
杂质有Cu,Pb,Al,Bi,Fe,Na,Si,S,Se,As,Mg,Zn,Ag
2015年04月18日发布人:坚持2011
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[size=2]维格列汀二取代杂质怎么解决??[/size],[size=2]我现在二取代的杂质根据HPLC面积归一化法测定能够降低到1.5%左右,你需要降低到多少?目前我还在为减少杂质含量在努力中。。。[/size],[size=2
2016年02月15日发布人:@STAR@
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转载
选了好久气相色谱,最后在天美还是福立这边烦恼了,请各位帮忙发表下意见,尤其是买过用过这两家仪器的。谈了好几次价格,同样的配置(GC主机+FID+TCD),天美的价格比福立高一万多 天美的是7900,福立的是9790II,应当是同一
2013年07月24日发布人:我是夜猫子
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[size=2]半个月前做乙醇的挥发性杂质(药典方法) 40° 12min , 40° 到240° 10℃/min 维持10分钟 ,结果甲醇峰还勉强,尽管不是很美观 ,我用不分流, 恒压模式, 51kP 的柱头压, 15mL/min
2015年01月05日发布人:荷塘青蛙!
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][/size],[size=2]检测SiO2表面的羟基最简单的方法就是红外。200°抽真空2h左右,建议使用DRIFTS,960cm-1处的峰即为硅羟基。
还有一种方法就是29Si固体核磁,检测Q3强度
你的材料经过700焙烧后,表面
2015年12月14日发布人:uuooii
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粉末样品越来越多,需要更多注意样品的特殊性1、压片,注意放置的发光表面在光路的交叉点,压片表面和入射光的角度不要45°角,最好30度或60°角。2. 夹具,根据样品可用的量多少,可以选取固体粉末盒或微量样品夹具,最少10ul样品可以完成
2016年04月09日发布人:vbnm