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NIE-4000 (A) 全自动IBE离子束刻蚀
14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅:500
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LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统
LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统概述:zei新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了zei新的水平,可以帮助用户获得zei干净的晶圆片和掩模
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高温等离子样品台
NM-LTP:低温样品台,可加热到3000CNM-MTP:中温样品台,可加热到5000CNM-HTP:高温样品台。可加热到7000C NANO-MASTER(那诺-马斯特)样品台可以直接安装
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NIE-4000 (R) RIBE反应离子束刻蚀
14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅:500
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NSC-3000 (A) 全自动磁控溅射系统
不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压(1000V)样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗 NSC-3000(A)全自动磁控溅射系统概述:带有水冷或者加热(最高可加热到
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NDR-4000 (A) 全自动DRIE深反应离子刻蚀
。样品台:6”的托盘夹具,能够支持6”的Wafer。可以冷却到-120摄氏度(包含LN2循环水冷系统),并采用He气实现背部冷却和自动锁紧,微精细地控制He气流量,包含气动截止阀;流量控制:支持5个或
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NRE-3500 (M) RIE反应离子刻蚀机
NRE-4000:基于PC计算机全自动控制的独立式系统,占地面积26“D x 44"WNRE-3500:基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立式系统,占地面积26“D x 26"WNRE-3000
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NSC-1000 磁控溅射系统
Thickness Monitor 膜厚监测SEM应用溅射金属,最大到6“的晶圆片 磁控溅射技术带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能,最大到6 不锈钢,铝质腔体或钟罩式
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NPC-4000 (M) 等离子清洗机
有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性,消除键合问题塑料的表面改型:O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面
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NPC-3500 (A) 全自动等离子清洗机去胶机
NPC-3500(A)全自动等离子清洗/去胶机应用:有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性,消除键合问题塑料
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