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NIE-4000 (M) IBE离子束刻蚀
光谱终点监测系统背氦冷却21”立方的电抛光不锈钢腔体自动上下片1200L/Sec涡轮分子泵冷泵配置增加MFC用于反应气体实现RIBE栅格式RFICP离子源中空阴极或灯丝中和器溅射源
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SWC-3000 (M) 兆声掩模板清洗机
带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗
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SWC-3000 (D) 兆声辅助光刻胶剥离系统
SWC-3000 (D) 兆声辅助光刻胶剥离系统概述:zei新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了zei新的水平,可以帮助用户获得zei干净的晶圆片和
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SWC-4000 (C) 兆声清洗系统
SWC-4000 (C) 兆清洗系统概述:zei新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了zei新的水平,可以帮助用户获得zei干净的晶圆片和掩模
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SWC-3000 (W) 兆声晶圆清洗机
Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗 PVA软毛刷清洗 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平,可以帮助
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SWC-4000 (D) 兆声湿法去胶系统
支持12”直径的圆片或9”x9”方片 30”D x 26”W 的占地面积 机械手自动上下载片 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和
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SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统
Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗支持12”直径的圆片或9”x9”方片30”D x 26”W 的占地面积PVA软毛刷清洗 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和
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NPC-3000 等离子清洗机去胶机
兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台最多可支持4个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀机械泵的压力可达
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NIE-3000 (C) 离子束清洗系统
离子束:高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径:4“,5“,6“兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮
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NMC-3000 MOCVD金属有机化学气相沉积系统
独立式系统ICP或者微波等离子源14”立方的电抛光不锈钢腔体8”或者12”的基片夹具700°C旋转基片夹具用于6”样品台,950°C用于4”样品台增加鼓泡器和MFC自动上下片集群配置可兼容
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