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SWC-3000 (M) 兆声掩模板清洗机
带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗
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SWC-3000 (D) 兆声辅助光刻胶剥离系统
SWC-3000 (D) 兆声辅助光刻胶剥离系统概述:zei新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了zei新的水平,可以帮助用户获得zei干净的晶圆片和
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SWC-4000 (C) 兆声清洗系统
SWC-4000 (C) 兆清洗系统概述:zei新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了zei新的水平,可以帮助用户获得zei干净的晶圆片和掩模
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SWC-3000 (W) 兆声晶圆清洗机
Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗 PVA软毛刷清洗 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平,可以帮助
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SWC-4000 (D) 兆声湿法去胶系统
支持12”直径的圆片或9”x9”方片 30”D x 26”W 的占地面积 机械手自动上下载片 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和
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SWC-5000 (AC)全自动兆声清洗系统
Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗支持12”直径的圆片或9”x9”方片30”D x 26”W 的占地面积PVA软毛刷清洗 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和
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NPC-3000 等离子清洗机去胶机
无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性,消除键合问题塑料的表面改型:O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面
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NIE-3000 (C) 离子束清洗系统
离子束:高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径:4“,5“,6“兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮
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NMC-3000 MOCVD金属有机化学气相沉积系统
该系统具有5个鼓泡装置、加热的气体管路、950度样品台三个气体环、淋浴式气体分布的RF射频等离子源以及工艺终端的N2冲洗、250l/sec涡轮分子泵及无油真空泵、PC全自动控制,完全的安全互锁
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磁控溅射系统NSC-4000 (M
基板支持加热(最高可达800°C)或冷却支持旋转GLAD斜角入射沉积腔体尺寸可定制1.5-5KW脉冲之流电源用于ITO/ZnO等类似材料 NANO-MASTER的溅射系统可构建成多腔体和多
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