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NPE-4000 (ICPA) 全自动等离子体化学气相沉积系统
等离子诱导表面改性:就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗:去除有机污染物等离子聚合:对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石),以及其它薄膜
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NPE-4000 (A) 全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统
等离子诱导表面改性:就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗:去除有机污染物等离子聚合:对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石),以及其它薄膜
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NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统
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NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统
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NLD-4000 (A) ALD全自动原子层沉积系统
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NLD-4000 (M) 原子层沉积系统
多种薄膜(如:AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等)。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-4000系统提供12”的铝质反应腔体,带有加热腔壁和气动升降顶盖
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NLD-3000 ALD原子层沉积系统
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NRE-4000 (A) 全自动反应离子刻蚀
能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率,400 ?/min高达12”的阳极氧化铝RF样品台极限真空5x10-7Torr,20分钟内可以达到10-6Torr级别最多
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NPC-4000(M) 等离子刻蚀机
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NPC-4000(A)全自动等离子刻蚀机
腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持8个MFC带电抛光的气体管路PC
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