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NIE-4000 (R) RIBE反应离子束刻蚀
14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅:500
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NSC-3000 (A) 全自动磁控溅射系统
不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压(1000V)样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗 NSC-3000(A)全自动磁控溅射系统概述:带有水冷或者加热(最高可加热到
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NDR-4000 (A) 全自动DRIE深反应离子刻蚀
外观尺寸:紧凑型立柜式设计,不锈钢腔体,外观尺寸为28”(W) x 42”(L) x64”(H);等离子源:NM ICP平面等离子源,带淋浴头气体分布系统。等离子源安装在腔体顶部,通过
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NRE-3500 (M) RIE反应离子刻蚀机
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NSC-1000 磁控溅射系统
Thickness Monitor 膜厚监测SEM应用溅射金属,最大到6“的晶圆片 磁控溅射技术带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能,最大到6 不锈钢,铝质腔体或钟罩式
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NPC-4000 (M) 等离子清洗机
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NPC-3500 (A) 全自动等离子清洗机去胶机
Lock不锈钢、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐zei多可支持5个MFC
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NRE-4000 (ICPA) 全自动ICP刻蚀系统
外观尺寸:紧凑型立柜式设计,不锈钢腔体,外观尺寸为44”(W) x 26”(L) x62”(H);等离子源:NM-ICP平面电感耦合等离子体源,带有自动调谐器,激活面积可以达到8”;处理腔体
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LSC-4000 (C) 兆声大基片清洗系统
湿法刻蚀硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带图案/不带图案的掩模版 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆
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NEE-4000 (A) 全自动电子束蒸发系统
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