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NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统
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NLD-4000 (A) ALD全自动原子层沉积系统
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN
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NLD-4000 (M) 原子层沉积系统
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN
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NLD-3000 ALD原子层沉积系统
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN
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NRE-4000 (A) 全自动反应离子刻蚀
能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率,400 ?/min高达12”的阳极氧化铝RF样品台极限真空5x10-7Torr,20分钟内可以达到10-6Torr级别最多
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NPC-4000(M) 等离子刻蚀机
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NPC-4000(A)全自动等离子刻蚀机
腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持8个MFC带电抛光的气体管路PC
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NPC-3500(M)等离子刻蚀机
100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持4个MFC带电抛光的气体管路PC计算机控制的气动阀带密码保护的
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NPC-3500(A)全自动等离子刻蚀机
、铝制腔体或钟罩式耐热玻璃腔兼容100级超净间使用淋浴头、ICP或微波等离子源旋转样品台RF偏压可PID控制加热到300 °C或冷却的样品台全自动或手动RF调谐最多可支持5个MFC带电抛光的气体管路
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NIE-4000 (M) IBE离子束刻蚀
离子束刻蚀产品特点:优化的14”立方的电抛光不锈钢腔体水冷±90°自动倾斜旋转基片夹具带不锈钢气体管路及气动截止阀的MFC直流离子源1cm-16cm 6”基片的刻蚀均匀度±1.2% 能够控制基片温度在
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