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NLD-4000 (M) 原子层沉积系统
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN
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NLD-3000 ALD原子层沉积系统
Oxides氧化物: Al203, HfO2, La2O3, SiO2, TiO ZnO, In2O3,etcNitrides氮化物: AlN, TiN, TaN
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NRE-4000 (A) 全自动反应离子刻蚀
能够刻蚀硅的化合物(~400? /min)以及金属典型的硅刻蚀速率,400 ?/min高达12”的阳极氧化铝RF样品台极限真空5x10-7Torr,20分钟内可以达到10-6Torr级别最多支持
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NPC-4000(M) 等离子刻蚀机
有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性,消除键合问题塑料的表面改型:O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面
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NPC-4000(A)全自动等离子刻蚀机
有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性,消除键合问题塑料的表面改型:O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面
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NPC-3500(M)等离子刻蚀机
有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性,消除键合问题塑料的表面改型:O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面
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NPC-3500(A)全自动等离子刻蚀机
有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性,消除键合问题塑料的表面改型:O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面
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NIE-4000 (M) IBE离子束刻蚀
光谱终点监测系统背氦冷却21”立方的电抛光不锈钢腔体自动上下片1200L/Sec涡轮分子泵冷泵配置增加MFC用于反应气体实现RIBE栅格式RFICP离子源中空阴极或灯丝中和器溅射源
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SWC-3000 (M) 兆声掩模板清洗机
带图案或不带图案的掩模版和晶圆片Ge, GaAs以及InP晶圆片清洗CMP处理后的晶圆片清洗晶圆框架上的切粒芯片清洗等离子刻蚀或光刻胶剥离后的清洗带保护膜的分划版清洗掩模版空白部位或接触部位清洗
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SWC-3000 (D) 兆声辅助光刻胶剥离系统
SWC-3000 (D) 兆声辅助光刻胶剥离系统概述:zei新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了zei新的水平,可以帮助用户获得zei干净的晶圆片和掩模
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