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PlasmaPro 100 ALE半导体检测仪原子层刻蚀 PlasmaPro 100 系统-2017 PlasmaPro-100-Brochure
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牛津仪器半导体检测仪PlasmaPro 100 ALE 样本
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原子层刻蚀PlasmaPro 100 ALE牛津仪器 应用于电子/半导体
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原子层刻蚀半导体检测仪PlasmaPro 100 ALE 应用于高分子材料
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE半导体检测仪 应用于电子/半导体
工艺非常适于刻蚀纳米级薄层应用III-V族材料刻蚀工艺固体激光器InP刻蚀VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀 射频器件低损伤GaN刻蚀硅 Bosch和超低温刻蚀工艺 类金刚石(DLC)沉积
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半导体检测仪PlasmaPro 100 ALE牛津仪器 可检测Semiconductors
低损伤工艺数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD高选择比能加工最大200mm的晶圆高深宽比(HAR)刻蚀工艺非常适于刻蚀纳米级薄层应用III-V族材料刻蚀工艺固体激光器InP刻蚀VCSEL
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE半导体检测仪 应用于高分子材料
式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD高选择比能加工最大200mm的晶圆高深宽比(HAR)刻蚀工艺非常适于刻蚀纳米级薄层应用III-V族材料刻蚀工艺固体激光器InP刻蚀VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
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半导体检测仪原子层刻蚀PlasmaPro 100 ALE PlasmaPro100 ALE 原子层刻蚀
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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半导体检测仪PlasmaPro 100 ALE牛津仪器 应用于电子/半导体
损伤工艺数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD高选择比能加工最大200mm的晶圆高深宽比(HAR)刻蚀工艺非常适于刻蚀纳米级薄层应用III-V族材料刻蚀工艺固体激光器InP刻蚀VCSEL GaAs
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