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日本电子JBX-3200MV电子束光刻系统 步进重复式曝光的优点
产品规格:拼接精度≦±3.5 nm套刻精度≦±5 nmJBX-3200MV 电子束光刻系统JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的
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日本电子JBX-3050MV 电子束光刻系统 步进重复式的光刻系统
产品规格:拼接精度≦±3.8 nm套刻精度≦±7 nmJBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的
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日本电子JBX-6300FS 电子束光刻系统 独自的自动校正功能(自动补偿功能)
大 5英寸或 6英寸的掩模版, 任意尺寸的的微小样品。2000μmX2000μm190mmX170mm≦±9nm≦±9nmzei大 50MHzJBX-6300FS 电子束光刻系统JBX-6300FS的
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日本电子JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统 仅需以往机型耗电量的1/3
产品特点:zei新高精密JBX-8100FS圆形电子束光刻系统,通过全方位的设计优化,实现更简便的操作,更快的刻写速度,更小的占地面积和安装空间,并且更加绿色节能。◇ 节省空间标准的设备占地面积
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日本电子JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统 适用于超微细加工以及批量生产
追加授权JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统zei新高精密JBX-8100FS圆形电子束光刻系统,通过全方位的设计优化,实现更简便的操作,更快的刻写速度,更小的占地面积和安装空间,并且更加绿色节能
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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备 锥形通孔刻蚀
纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展,PlasmaPro 100 Estrelas 提供了工艺灵活性。光滑侧壁工艺高刻蚀速率腔刻蚀高深宽比工艺锥形通孔刻蚀广泛的应用领域机械或静电压盘
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日本电子JBX-3050MV 电子束光刻系统 用于制作45nm~32nm 节点的掩模版
产品特点:JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。是基于加速
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日本电子JBX-3200MV电子束光刻系统 制作28nm~22/20nm节点的掩模版
产品特点:JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。zei先进的技术实现了高速、高精度和高可靠性。是基于加速
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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日本电子JBX-3050MV 电子束光刻系统 用于制作45nm~32nm 节点的中间掩模版
版/中间掩模版(mask/reticle)图形制作所需要的多种补偿。JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统
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