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S1227-66BR 硅光电二极管
720 nm 灵敏度 0.43 A/W 暗电流 20 pA 上升时间(典型值) 2 μs 结电容 950 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度:λ=720nm
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S1336-18BQ 硅光电二极管
nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 20 pA 上升时间(典型值) 0.1 μs 结电容 20 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为
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S1337-33BR 硅光电二极管
960nm 灵敏度 0.62 A/W 暗电流 30 pA 上升时间(典型值) 0.2 μs 结电容 65 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度:λ=960nm
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S1336-18BK 硅光电二极管
nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 20 pA 上升时间(典型值) 0.1 μs 结电容 20 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为
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S1226-44BK 硅光电二极管
nm 峰值波长 720 nm 灵敏度 0.36 A/W 暗电流 10 pA 上升时间(典型值) 1 μs 结电容 380 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为
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S1337-66BQ 硅光电二极管
nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 100 pA 上升时间(典型值) 1 μs 结电容 380 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值
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S1227-66BQ 硅光电二极管
720 nm 灵敏度 0.36 A/W 暗电流 20 pA 上升时间(典型值) 2 μs 结电容 950 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度:λ=720nm
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S1336-5BQ 硅光电二极管
nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 30 pA 上升时间(典型值) 0.2 μs 结电容 65 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值
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S1226-5BK 硅光电二极管
nm 峰值波长 720 nm 灵敏度 0.36 A/W 暗电流 5 pA 上升时间(典型值) 0.5 μs 结电容 160 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为
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S2386-18L 硅光电二极管
to 1100 nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.6 A/W 暗电流 2 pA 上升时间(典型值) 0.4 μs 结电容 140 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非
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