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S1226-8BQ 硅光电二极管
nm 峰值波长 720 nm 灵敏度 0.36 A/W 暗电流 20 pA 上升时间(典型值) 2 μs 结电容 1200 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为
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S1227-16BQ 硅光电二极管
720 nm 灵敏度 0.36 A/W 暗电流 5 pA 上升时间(典型值) 0.5 μs 结电容 170 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度
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S1227-33BR 硅光电二极管
720 nm 灵敏度 0.36 A/W 暗电流 5 pA 上升时间(典型值) 0.5 μs 结电容 160 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度
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S1336-8BK 硅光电二极管
nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 100 pA 上升时间(典型值) 1 μs 结电容 380 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值
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S1337-16BQ 硅光电二极管
960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 50 pA 上升时间(典型值) 0.2 μs 结电容 65 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度
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S1337-16BR 硅光电二极管
960 nm 灵敏度 0.62 A/W 暗电流 50 pA 上升时间(典型值) 0.2 μs 结电容 65 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度
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S1226-5BQ 硅光电二极管
nm 峰值波长 720 nm 灵敏度 0.36 A/W 暗电流 5 pA 上升时间(典型值) 0.5 μs 结电容 160 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为
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S1227-16BR 硅光电二极管
720 nm 灵敏度 0.43 A/W 暗电流 5 pA 上升时间(典型值) 0.5 μs 结电容 170 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度
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S1337-33BQ 硅光电二极管
960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 30 pA 上升时间(典型值) 0.2 μs 结电容 65 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度:λ=960nm
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S1337-1010BR 硅光电二极管
nm 灵敏度 0.62 A/W 暗电流 200 pA 上升时间(典型值) 3 μs 结电容 1100 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。灵敏度
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