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NIE-3500 (MC) 离子束清洗系统
离子束:高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径:4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮
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NPE-4000 (M) 等离子体化学气相沉积系统
加热的液体传送单元抗腐蚀的涡轮分子泵组1路载体气体以及3路反应气体,带MFC基于LabView软件的PC计算机全自动控制菜单驱动,4级密码访问保护完整的安全联锁
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NSC-3000 (M) 磁控溅射系统
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NLD-3500 (A) 全自动原子层沉积系统
全自动的安全互锁设计,并提供了强大的灵活性,可以用于沉积多种薄膜(如:AL2O3, AlN, TiN, ZrO2, LaO2, HfO2,等等)。应用领域包含半导体、光伏、MEMS等。NLD-3500
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NIE-4000 (A) 全自动IBE离子束刻蚀
14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅
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LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统
LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统概述:zei新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了zei新的水平,可以帮助用户获得zei干净的晶圆片和
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高温等离子样品台
NM-LTP:低温样品台,可加热到3000CNM-MTP:中温样品台,可加热到5000CNM-HTP:高温样品台。可加热到7000C NANO-MASTER(那诺-马斯特)样品台可以直接安装
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NIE-4000 (R) RIBE反应离子束刻蚀
14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅
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NSC-3000 (A) 全自动磁控溅射系统
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NDR-4000 (A) 全自动DRIE深反应离子刻蚀
外观尺寸:紧凑型立柜式设计,不锈钢腔体,外观尺寸为28”(W) x 42”(L) x64”(H);等离子源:NM ICP平面等离子源,带淋浴头气体分布系统。等离子源安装在腔体顶部,通过
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