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硅酸镓镧 LGS
产品名称: 硅酸镓镧 LGS (La3Ga5SiO14) 技术参数:晶体切向: xyl/48.5°/26.7(0°,138.5°,26.7°)or (0°,22°,90°) 晶体直径
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3K/4K系列—微粒计数仪尺寸标准品
3K/4K系列—微粒计数仪尺寸标准品-技术参数成分:聚苯乙烯密度:1.05g/cm3折射指数:1.59@589nm(25°C)添加剂:含微量表面活性剂 标称直径瓶装规格大约数量#/mL货号
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磷化镓(GaP)晶体基片
产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78 g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45
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氮化镓(GaN)晶体基片
产品名称:氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地
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MIRI GA 验证设备
MIRI GA 验证设备MIRI GA是一款由欧盟设计和制造的台式分析仪,用于对MIRI培养箱的温度、气体浓度、气体流量和气体压力进行外部验证。特点:1. 不间断验证多达6个腔室CO2/O2气体2.
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锑化镓(GaSb)晶体基片
产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型P P- P+ N载流子浓度
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砷化镓(GaAs)晶体基片
产品名称:砷化镓(GaAs)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:砷化镓(GaAs)掺杂:None;Si;Cr;Te;Zn导电类型:Si;N;Si;N;P载流子浓度cm-3:/> 5x1017
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铟镓砷探测器
仪器简介:铟镓砷探测器 工作在0.8um-2.6um的波长范围内,提供快速响应时间、一致性好、极好的灵敏度及长时间工作的稳定性技术参数:铟镓砷探测器工作在0.8um-2.6um的波长范围内
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可重复用灌胃针(规格可选)
C21001-20 可重复用灌胃针(规格可选) ¥56.00 灌胃器是由不锈钢制成,坚固耐用不生锈,易清理。标准注射器接口。 C21001-20 可重复用灌胃针(规格可选) ¥56.00
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GA空气发生器
GA空气发生器主要技术指标气体纯度:无油三级输出压力:0.4Mpazui大流量:3000ml/min实际尺寸:230x550x3600mm 使用一段时间后,发现干燥管内的硅胶由下而上逐渐
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