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ATD-30S全自动二次热解吸仪
1、一次解吸(吸附管)温度控制范围:室温~420℃,步长1℃2、六通阀进样系统温度及控制范围:室温~220℃,步长1℃3、样品传输管线温度及控制范围:室温~220℃,步长1℃4、二次解吸(聚焦管
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S1133-01 硅光电二极管
:λ=λp,暗电流: VR=1 V,结电容: VR=0V f=10 kHz低暗电流陶瓷封装光电二极管 S1133 是低暗电流陶瓷封装光电二极管。陶瓷封装是不透光的,所以不会有杂散光从侧面或背面进入感光
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S2281-01 硅光电二极管
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S1223-01 硅光电二极管
详细参数 感光面积 3.6 × 3.6 mm 象元数 1 封装 金属 封装类型 TO-5 反偏电压(zei大) 30 V 光谱响应范围 320 to 1100 nm 峰值波长
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KORE SURFACESEER S: TOF-SIMS二次离子质谱
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S1133-14 硅光电二极管
,暗电流: VR=1 V,结电容: VR=0V f=10 kHz低暗电流陶瓷封装光电二极管 S1133 是低暗电流陶瓷封装光电二极管。陶瓷封装是不透光的,所以不会有杂散光从侧面或背面进入感光面。适用于
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S2281-04 硅光电二极管
to 1100 nm 峰值波长 960 nm 灵敏度 0.5 A/W 暗电流 500 pA 上升时间(典型值) 3 μs 结电容 1300 pF 测试条件 Ta=25 ℃,除非特别说明均为
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A.L.S. PiLas 皮秒激光器
独立控制器重量2.5 kg电子参数电源12 VDC/3 A 或 100 – 264 VAC, 47 – 63 Hz功耗< 30 W冷却方式激光系统气冷注释:(1) 市场上可买到的所有激光二极管的
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1064nm单模半导体激光器
技术指标参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po80mW中心波长λc1063.510641064.5nm光谱半高宽度FWHM0.06nm边模抑制比SMSR4050dB阈值电流
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785nm窄线宽高功率半导体激光器模块
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po500mW中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.080.12nm边模抑制比SMSR3035dB工作电流
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