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SP03便携式农药残留仪
仪器主要性能参数和规格测量通道数 12个 恒温温度 40℃ 反应时间 10分钟 显色时间 3分钟 可选范围 30~50℃ 1~99分钟 1~99分钟 电源适配器 输入100
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XRF高频熔样炉GHB-TK1S/GHB-TK2S
转动半径范围0-20mm摆动速度范围0-35次/min红外线测温范围500℃-1400℃控温精度≤±5℃ GHB-TK1S/TK2S 1、使用方便:开机30秒钟可从室温升到1000℃以上
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便携式农药残留速测仪
机磷或氨基甲酸酯类农药的残留情况。二、使用方法 1、开机。按住面板上的【开/关】键约2s,仪器开机(开机后,再次按此键可关机);按【模式】键切换至“温度”,当温度达到40℃时,仪器发出一声提示音
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A.L.S. PiLas 皮秒激光器
PiLas 皮秒激光器规格参数:光学参数PiLas中心波长(1)375 nm – 2 μm脉宽(2)20 ps – 150 ps脉冲峰值功率(3)20 mW – 1 W脉冲能量(4)1
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1550nm单频半导体激光器 (超窄线宽
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po20mW中心波长λc1550nM光谱半高宽度FWHM5 / 15kHz边模抑制比SMSR40dB消光比*PER20dB相对强度噪声
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1064nm单模半导体激光器
技术指标参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po80mW中心波长λc1063.510641064.5nm光谱半高宽度FWHM0.06nm边模抑制比SMSR4050dB阈值电流
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785nm窄线宽半导体激光器
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.080.12nm边模抑制比SMSR3035dB工作电压Vop1.92.2VTEC
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785nm单模半导体激光器
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po120mW中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.05nm边模抑制比SMSR4050dB阈值电流Ith40mA
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785nm窄线宽高功率半导体激光器模块
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1550nm单频激光器模块(超低RIN值
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po 80mW中心波长λc1550nm光谱半高宽度FWHM 50 100kHz边模抑制比SMSR 40dB
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