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NSC-1000 磁控溅射系统
Thickness Monitor 膜厚监测SEM应用溅射金属,最大到6“的晶圆片 磁控溅射技术带有水冷或者加热(最高可加热到700度)功能,最大到6 不锈钢,铝质腔体或钟罩式
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NPC-4000 (M) 等离子清洗机
有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性,消除键合问题塑料的表面改型:O2处理以改进涂覆性能产生亲水或疏水表面
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NPC-3500 (A) 全自动等离子清洗机去胶机
NPC-3500(A)全自动等离子清洗/去胶机应用:有机物以及无机物的残留物去除光刻胶剥离或灰化去残胶以及内腐蚀(深腐蚀)应用清洗微电子元件,电路板上的钻孔或铜线框架提高黏附性,消除键合问题塑料
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NRE-4000 (ICPA) 全自动ICP刻蚀系统
外观尺寸:紧凑型立柜式设计,不锈钢腔体,外观尺寸为44”(W) x 26”(L) x62”(H);等离子源:NM-ICP平面电感耦合等离子体源,带有自动调谐器,激活面积可以达到8”;处理腔体
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LSC-4000 (C) 兆声大基片清洗系统
湿法刻蚀硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带图案/不带图案的掩模版 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆
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NEE-4000 (A) 全自动电子束蒸发系统
电抛光14“立方体或21“x21“x22“不锈钢优化蒸镀腔体680 l/sec 涡轮分子泵,串接机械泵或干泵4x 15CC pocket电子枪电子束源和基片遮板6KW开关电源,杰出的消弧性能
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NLD-4000(ICPM)PEALD原子层沉积系统
NLD-4000在6”晶圆片上的均匀性数据周期:100个周期(TMA + H2O)均匀度:0.36%温度:200°C折射率:1.68周期:300个周期(TMA + H2O)均匀度:0.27%温度
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NEE-4000 (M) 电子束蒸发系统
10KW开关电源涡轮分子泵,极限真空5x10-7Torr NANO-MASTER NEE-4000电子束蒸发系统为双腔体的配置,其中样品台位于主腔体内,二级腔体则用于安置电子束源。 顺序
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SWC-4000 (W) 兆声晶圆清洗机
掩模板或晶圆片夹具臭氧清洗PVA软毛刷清洗高压DI清洗氮气离子发生器 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了最新的水平,可以帮助用户获得最干净的晶圆片
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LSC-5000 (AD) 全自动兆声大基片湿法去胶系统
光刻胶去除/剥离硅片蓝宝石片圆框架上的芯片显示面板ITO涂覆的显示屏带保护膜的分划版掩模版空白部位掩模版接触部位带保护膜/不带保护膜的掩模版 最新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体
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