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NPE-4000 (M) 等离子体化学气相沉积系统
等离子诱导表面改性:就是通常所说的用等离子实现表面改性(如亲水性、疏水性等)等离子清洗:去除有机污染物等离子聚合:对材料表面产生聚合反应沉积二氧化硅、氮化硅、DLC(类金刚石),以及其它薄膜
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NSC-3000 (M) 磁控溅射系统
不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压(1000V)样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗预真空锁以及自动晶圆片上/下载片 NSC-3000(M)磁控溅射系统带有水冷或者
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NLD-3500 (A) 全自动原子层沉积系统
NLD-3500(A)全自动原子层沉积系统特点:NLD-3500(A)是一款全自动独立的PC计算机控制的ALD原子层沉积系统,带Labview软件,具备四级密码控制的用户授权保护功能。系统为
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NIE-4000 (A) 全自动IBE离子束刻蚀
14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅:500
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LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统
LSC-4000 (D) 兆声大基片湿法去胶系统概述:zei新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了zei新的水平,可以帮助用户获得zei干净的晶圆片和掩模
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高温等离子样品台
NM-LTP:低温样品台,可加热到3000CNM-MTP:中温样品台,可加热到5000CNM-HTP:高温样品台。可加热到7000C NANO-MASTER(那诺-马斯特)样品台可以直接安装
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NIE-4000 (R) RIBE反应离子束刻蚀
14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅:500
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NSC-3000 (A) 全自动磁控溅射系统
不锈钢腔体RF、DC溅射RF或DC偏压(1000V)样品台可加热到700°C膜厚监测仪基片的RF射频等离子清洗 NSC-3000(A)全自动磁控溅射系统概述:带有水冷或者加热(最高可加热到
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NDR-4000 (A) 全自动DRIE深反应离子刻蚀
。样品台:6”的托盘夹具,能够支持6”的Wafer。可以冷却到-120摄氏度(包含LN2循环水冷系统),并采用He气实现背部冷却和自动锁紧,微精细地控制He气流量,包含气动截止阀;流量控制:支持5个或
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NRE-3500 (M) RIE反应离子刻蚀机
NRE-4000:基于PC计算机全自动控制的独立式系统,占地面积26“D x 44"WNRE-3500:基于PC计算机全自动控制的紧凑型独立式系统,占地面积26“D x 26"WNRE-3000
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