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刻蚀和沉积设备PlasmaPro 100 Cobra牛津仪器 应用于生物质材料
牛津仪器刻蚀和沉积设备PlasmaPro 100 Cobra参考多项行业标准Oxford Instruments。完成Nano Material的检测。可以用在高分子材料行业领域中的Nano
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牛津仪器半导体检测仪刻蚀和沉积设备 可检测Power
牛津仪器刻蚀和沉积设备PlasmaPro 100 Cobra可用于测定Power Semiconductors,适用于Power Semiconductors项目。并且参考多项行业标准Oxford
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半导体检测仪牛津仪器刻蚀和沉积设备 可检测Semiconductors
200mm晶圆的工艺均匀性高抽气能力 - 提供了更宽的工艺气压窗口晶圆压盘与背氦制冷 - 更适合的晶片温度控制应用III-V族材料的刻蚀工艺固体激光器InP刻蚀VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
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刻蚀和沉积设备半导体检测仪牛津仪器 可检测Power
能力 - 提供了更宽的工艺气压窗口晶圆压盘与背氦制冷 - 更适合的晶片温度控制应用III-V族材料的刻蚀工艺固体激光器InP刻蚀VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀射频器件低损伤GaN刻蚀硅
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PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀半导体检测仪 可检测Semiconductor
生产需求。PlasmaPro 100 ALE 的特点: 准确的刻蚀深度控制;光滑的刻蚀表面低损伤工艺数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD高选择比能加工最大200mm的晶圆高深宽比(HAR)刻蚀
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半导体检测仪原子层刻蚀牛津仪器 适用于Semiconductor
牛津仪器原子层刻蚀PlasmaPro 100 ALE用于测定Semiconductor,符合行业标准Oxford Instruments。适用Semiconductor项目。 Plasma
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PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀半导体检测仪 可检测Material
准确的刻蚀深度控制;光滑的刻蚀表面低损伤工艺数字化/循环式刻蚀工艺——刻蚀相当于ALD高选择比能加工最大200mm的晶圆高深宽比(HAR)刻蚀工艺非常适于刻蚀纳米级薄层应用III-V族材料刻蚀工艺
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牛津仪器Ionfab300刻蚀和沉积设备 精确终点监测
Ionfab300Ionfab 300 IBD客户选择我们的离子束沉积产品是因为它们能够生产具有高质量,致密和表面光滑的沉积薄膜。离子束技术提供了一种多样的刻蚀和沉积的方法,并可在同一设备上实现
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牛津仪器Ionfab300刻蚀和沉积设备 双束流配置
Ionfab 300 IBE离子束刻蚀的灵活性、均匀性俱佳且应用范围广。我们的设备具有灵活的硬件选项,包括直开式、单衬底传送模式和盒式对盒式模式。系统配置与实际应用紧密协调,以确保获得速率更快且
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Gatan 精密刻蚀镀膜系统PECS II 685 合金研究
ALT 327,为 ALTO 冷冻扫描电镜系统而设计的撞击式冷冻制样设备,提供了样品载体和样品载台,它们可以放置在 ALTO 2500 冷冻工作站或ALTO 1000 的液氮泥加工站中*。
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