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伯东公司供应射频离子源 RFICP 140
创立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研发生产考夫曼离子源, 霍尔离子源和射频离子源. 美国考夫曼离子源历经 40 年改良及发展已取得多项专利. 离子源广泛用于离子清洗 PC
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KRi 离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用
增强分子动力学, 以增加表面和原子/分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化.通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到化学计量完整材料.使用美国 KRi 考夫曼离子源可以实现增强
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KRi 离子源 e-beam 电子束蒸发系统辅助镀膜应用
增强分子动力学, 以增加表面和原子/分子的流动性, 从而导致薄膜的致密化.通过向生长薄膜中添加活性离子来增强薄膜化合物的化学转化, 从而得到化学计量完整材料.使用美国 KRi 考夫曼离子源可以实现增强
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KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
上海伯东美国 KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子
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KRi 射频离子源 IBSD 离子束溅射沉积应用
上海伯东美国 KRi 考夫曼品牌 RF 射频离子源, 无需灯丝提供高能量, 低浓度的宽束离子束, 离子束轰击溅射目标, 溅射的原子(分子)沉积在衬底上形成薄膜, IBSD 离子束溅射沉积 和
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KRi 考夫曼离子源应用于双腔室高真空等离子 ALD 系统
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KRI 离子源应用于磁控共溅镀设备
可帮助沉积并使沉积后的薄膜更为致密.溅镀腔中在载台部分可独立施打偏压, 对其基板进行清洁与增加材料的附着性等功能.上海伯东美国 KRI 提供霍尔离子源, 考夫曼离子源和射频离子源, 历经 40 年改良
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KRi 射频离子源应用于红外截止滤光片 IRCF 工艺
KRi 射频离子源进行离子清洗和辅助沉积, 实现 IR-CUT 单面镀膜美国 KRi 考夫曼品牌射频离子源通过辅助镀膜在白玻璃 IRCF 上进行工艺升级, 解决温漂问题, 上海伯东美国 KRi 射频
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美国 KRI 射频离子源 RFICP 380
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KRi 大面积射频离子源应用于 12英寸,8英寸 IBE 离子束蚀刻系统
上海伯东美国 KRi 考夫曼公司大面积射频离子源 RFICP 380, RFICP 220 成功应用于 12英寸和 8英寸 IBE 离子束蚀刻机, 刻蚀均匀性(1 σ)达到< 1%. 可以用
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