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消除薄层边缘效应有如下两种方法:1、屏蔽法。比如POP电镀时尖角部位采用绝缘体遮挡。2、阴极保护法。比如镀硬铬零件的边缘部位采用铜丝消耗部分电流。在色谱展开过程中,靠薄层边缘处斑点的Rf值与中心区域斑点的Rf值有所不同,此称为边缘效应
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去屏蔽效应与化学化学位移的关系:当核自旋时,核周围的云也随之转动,在外磁场作用下,会感应产生一个与外加磁场方向相反的次级磁场,使外磁场减弱,这种作用称为屏蔽效应。由于氢核具有不同的屏蔽常数σ,引起外磁场或共振频率的移动这种现象称为化学
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尽管电场引起折射率的变化很小,但可用干涉等方法精确地显示和测定,并导致许多重要的应用。如广泛用于光通信,测距、显示、信息处理以及传感器等许多方面。电光效应的运用在生活中也是随处可见的,特别是在电子摄影,数码摄影,以及通信领域的运用广泛
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铁为内标分析磁泡薄膜中钇、铋等元素, 用碲为内标测定矿物中微量稀土元素, 用钪为内标分析高纯氧化铕中14个稀土杂质。标准比较法是选择的标准样品在组成、物理状态等方面与待测试样相似, 从系统上消除基体效应的影响。在厚样法中, 对主要成份含量
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塞曼效应是荷兰物理学家塞曼在 1896 年发现的。他发现,发光体放在磁场中时,光谱线发生分裂的现象。是由于外磁场对电子的轨道磁矩和自旋磁矩的作用,或使能级分裂才产生的。其中谱线分裂为2条(顺磁场方向观察)或3条(垂直于磁场方向观察)的叫
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、灵敏度低。为克服线性动态范围小的缺点,德国Jena公司开发了一种3磁场塞曼效应背景校正技术,可使测量的线性动态范围扩充一个数量级。澳大利亚GBC科学仪器公司的Avanta UltraZ原子吸收分光光度计磁场强度为0.6~1.1 T(1T=1V·s·m-2),可以任意设定,对不同元素的不同背景干扰使用不同的磁场强度,可有效地提高仪器的灵敏度和测试精度。
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霍尔离子源为了获得具备电磁屏蔽能力的 PPS, PEEK等高分子轻量化材料, 但 PPS, PEEK 导电性能差、无电磁波屏蔽能力或者达不到理想的屏蔽效果, 因此, 某机构采用磁控溅射镀膜工艺对 PPS、PEEK 等材料结构件产品表面进行
2020-10-23
来源: 伯东企业(上海)有限公司
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产生Seebeck效应的机理,对于半导体和金属是不相同的。 产生Seebeck效应的主要原因是热端的载流子往冷端扩散的结果。例如p型半导体,由于其热端空穴的浓度较高,则空穴便从高温端向低温端扩散;在开路情况下,就在p型半导体的两端形成
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了温室效应, 对环境的破坏作用已越来越受到人们的重视。寻找新的制冷方式成为一项刻不容缓的任务。
电卡效应(Electrocaloric Effect)是在极性材料中因外电场的改变从而导致极化状态发生改变而产生的绝热温度或等温熵的变化[1-3
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塞曼效应是荷兰物理学家塞曼在 1896 年发现的。他发现,发光体放在磁场中时,光谱线发生分裂的现象。是由于外磁场对电子的轨道磁矩和自旋磁矩的作用,或使能级分裂才产生的。其中谱线分裂为2条(顺磁场方向观察)或3条(垂直于磁场方向观察)的叫