-
785nm窄线宽高功率半导体激光器模块
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po500mW中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.080.12nm边模抑制比SMSR3035dB工作电流
-
1550nm单频激光器模块(超窄线宽
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po 20mW中心波长λc1550nm光谱半高宽度FWHM 5 / 15kHz边模抑制比SMSR 40dB消
-
785nm窄线宽半导体激光器
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.080.12nm边模抑制比SMSR3035dB工作电压Vop1.92.2VTEC
-
785nm单模半导体激光器
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po120mW中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.05nm边模抑制比SMSR4050dB阈值电流Ith40mA
-
1550nm单频激光器模块(超低RIN值
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po 80mW中心波长λc1550nm光谱半高宽度FWHM 50 100kHz边模抑制比SMSR 40dB
-
1064nm种子源激光器
技术指标参数符号zei低值典型值zei大值单位阈值电流Ith70mA脉冲输出峰值功率Ppulse1300mW脉冲电流峰值(500ns, 1%占空比)Ipulse20002200mA脉冲峰值波长
-
1550nm单频半导体激光器 (超低RIN值
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po 80mW中心波长λc1550nM光谱半高宽度FWHM50100kHz边模抑制比SMSR40dB消光比*PER20dB相对强度噪声
-
1550nm单频半导体激光器 (超窄线宽
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po20mW中心波长λc1550nM光谱半高宽度FWHM5 / 15kHz边模抑制比SMSR40dB消光比*PER20dB相对强度噪声
-
HandyStep® S手动连续分液器,DE-M标志,含有挂架货号: 705110
-
深圳蒸汽老化寿命试验机价格低廉
protector Error indicator 半导体,被动元件,零件接脚氧化试验 ◆ 金属接脚粘锡性试验前加速老化试验 ◆ 微电脑温度控制器P.I.D. + P.W.M. + S.S
想在此推广您的产品吗?
咨询热线: 010-84839035
联系邮箱: sales@antpedia.net