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> 纸板戳穿试验仪,供应商价格
产品参数参数项目技术指标测量范围(J)0-48分四档。示值准确度(只在各档测量上限值的20%-80%范围内保证)档位范围(J)示值误差(J)A档0-6±0.05B档0-12±0.10C档
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全自动二次热解析仪价格
标准,并且在结构上具有自身独特的功能优势及令人满意的性能与价格比。全自动化设计、触摸大屏显示、操作更为方便,可连续运行20个样品的新一代全自动热解吸仪。 可根据用户需求配置为:20位全自动一次热解析仪
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UCF7000热成像摄像机价格
。热成像摄像机价格音视频录制Dräger UCF 7000 可以进行图像和视频的标准化录制。无论是在使用还是培训过程中,这些功能均可使您高效地完成文档部署或汇报工作。存储容量为 120 分钟的
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电磁矿石粉碎机_价格_厂家_原理
DF-4电磁矿石粉碎机技术参数 l、电源电压22O伏±10伏,电流6A。 2、进料粒度≤l5毫米,出料粒度~2OO目,不过筛就可进行化学分析。 3、每次磨样数量分为通用型和特殊型
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A.L.S. PiLas 皮秒激光器
PiLas 皮秒激光器规格参数:光学参数PiLas中心波长(1)375 nm – 2 μm脉宽(2)20 ps – 150 ps脉冲峰值功率(3)20 mW – 1 W脉冲能量(4)1 – 50
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1064nm单模半导体激光器
技术指标参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po80mW中心波长λc1063.510641064.5nm光谱半高宽度FWHM0.06nm边模抑制比SMSR4050dB阈值电流
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785nm窄线宽半导体激光器
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.080.12nm边模抑制比SMSR3035dB工作电压Vop1.92.2VTEC
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785nm单模半导体激光器
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率Po120mW中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.05nm边模抑制比SMSR4050dB阈值电流Ith40mA
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785nm窄线宽高功率半导体激光器模块
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po500mW中心波长λc784.5785785.5nm光谱半高宽度FWHM0.080.12nm边模抑制比SMSR3035dB工作电流
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1550nm单频激光器模块(超低RIN值
技术参数参数符号zei低值典型值zei高值单位输出功率*Po 80mW中心波长λc1550nm光谱半高宽度FWHM 50 100kHz边模抑制比SMSR 40dB
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