团队提出了使用有机电荷转移分子F4TCNQ与MoS2结合形成范德华界面,通过F4TCNQ与MoS2之间的电荷转移来降低沟道内无栅压情况下的载流子浓度。MoS2晶体管的开启电压(Von)从负数十伏被调制至0伏附近,F4TCNQ并未导致MoS2
垂直OSV器件中却鲜有报道,这是因为掺杂诱导spinterface的作用尚不清楚。在此,我们制备了一种F4TCNQ掺杂聚合物自旋阀,其电导率和磁电阻率(MR)显著提高。根据界面态的表征和半自旋阀的研究,确定了F4TCNQ以自由基的形式掺杂,并
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