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磷化镓(GaP)晶体基片
产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78 g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45载流子
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磨床磨损监测仪GAP-10L
磨床磨损监测仪:间隔抑制器(Gap Eliminator)GAP-10L GAP-10LW(无线类型) GAP-55ETO 特长 精密并且在早期进行接触时
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中小型基因组补洞 gap closure
服务的项目包括: 1:中小型基因组拼接、补洞(gap-closure)、全基因组系统分析、相近物种间的比较基因组分析。 2:宏基因组数据分析。 3:转录组数据分析。 4:SmallRNA数据
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鸿瑞韬GAP1000顶空分析仪
GAP1000顶空分析仪氧浓度测量 测试原理 燃料电池测量范围 0.0%~21.0%(量程可选0.0%~99.9%)测量精度 ≤±1.0%FS重 复 性 ≤±1.0%FS传感器寿命 >4年(正常使用
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Axon pCLAMP 膜片钳电生理学软件
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鸿瑞韬顶空分析仪GAP1000
GAP1000顶空分析仪氧浓度测量 测试原理 燃料电池测量范围 0.0%~21.0%(量程可选0.0%~99.9%)测量精度 ≤±1.0%FS重 复 性 ≤±1.0%FS传感器寿命 >4年(正常使用
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀
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GAP1000顶空分析仪(残氧仪)鸿瑞韬
GAP1000顶空分析仪氧浓度测量 测试原理 燃料电池测量范围 0.0%~21.0%(量程可选0.0%~99.9%)测量精度 ≤±1.0%FS重 复 性 ≤±1.0%FS传感器寿命 >4年(正常使用
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美国GMW Electromagnets
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美国GMW 电磁铁
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