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Judson-铟镓砷探测器
红外光电探测器在我们日常生活中随处可见,有着许多应用,主要应用为:气体分析仪、水质分析、红外测温、分光光度 计、傅里叶红外光谱仪、辐射度计、红外显微、功率计、热成像、污染源检测等根据红外探测器的波长
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卓立汉光铟镓砷探测器
仪器简介:■ 常温型铟镓砷探测器(InGaAs) ―――常温型近红外探测器,波长范围:0.8-1.7μm ■ TE制冷型铟镓砷探测器(InGaAs) ――TE制冷型近红外探测器,波长范围
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卓立汉光常温型铟镓砷探测器
产品概述常温型铟镓砷探测器(常温型InGaAs探测器)● DInGaAs1650型内装国产InGaAs元件● DInGaAs1700-R03M型内装进口InGaAs元件
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TE制冷型铟镓砷探测器(DInGaAs探测器)
产品概述TE 制冷型铟镓砷探测器DInGaAs(x)-TE 具有相同的外观设计,其探测元件均使用进口二级制冷铟镓砷探测器。光谱响应度曲线参考图(虚线为某款国产InGaAs对比曲线) 铟镓砷探测器
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砷化镓光学镜片类
砷化镓光学镜片类砷化镓(GaAs)晶体的化学稳定性好,硬度高,抗恶劣环境能力极强,它在2µm---14µm光谱范围有很好的透过 率,广泛应用于热红外成像系统,大功率CO2激光光学系统和FLIR系统
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铟镓砷APD
铟镓砷APD是内部具有增益机制的高速、高灵敏度光电二极管,可用于甚低光量测量。它们主要应用于光纤通信、距离测量以及空间光传输等。查看该产品更多详细信息,请点击http
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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀
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铟镓砷光电二极管
铟镓砷光电二极管响应范围从900纳米到1700纳米封装支持单一和多模光纤耦合1.3微米和1.55微米的灵敏度高响应小面积(高速)和大面积铟镓砷光电二极管在900纳米到1700纳米波长范围内提供一流
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AFS-8900原子荧光光度计
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福禄克 9230 小型镓点复现/保存装置
价格便宜、简单易用的固定点维护装置温坪持续时间为一周轻松自动复现每天在实验室内使用镓熔化点 (29.7646 °C) 为临界温度。生命科学、环境监测以及众多其他应用中使用的温度计均依靠该熔化点
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