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牛津仪器EDS硅漂移探测器 半导体制造
于纳米材料行业领域。 半导体制造解决方案 出众的低能端分析性能,保证所有尺寸的能谱仪皆可探测到Be元素使用大面积能谱仪意味着:低束流下有足够的计数率尽可能高的实现图像的可视性及准确性无需为能谱分析改变
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EDS硅漂移探测器牛津仪器 应用于电子/半导体
mm2到纳米材料分析专用150 mm2的共四种可选。尤其是150 mm2为当今晶体面积zei大的探测器,分析速度至少是普通探测器的两倍。总览探测器晶体尺寸可选,分别为150 mm2,80 mm2
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硅漂移探测器EDSX-MaxN 应用于电子/半导体
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硅漂移探测器EDS牛津仪器 应用于电子/半导体
牛津仪器EDSX-Max TEM可以用在电子/半导体行业领域,用来检测Power Semiconductors,可完成Power Semiconductors项目。符合多项行业标准Oxford
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硅漂移探测器EDS牛津仪器 应用于电子/半导体
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牛津仪器EDS硅漂移探测器 应用于电子/半导体
牛津仪器硅漂移探测器X-Max TEM可用于测定 Li-Ion battery,适用于Identifying contaminants in Li-Ion battery production
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硅漂移探测器EDSX-Max TEM 应用于电子/半导体
。可应用于纳米材料行业领域。 半导体制造解决方案 X-MaxN 80T用于TEM 的X-Max N系列SDD采用新型晶体、电子电路和封装技术,是一款真正的“新一代”SDDX-Max N TEM探测器
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X-Max TEM牛津仪器硅漂移探测器 半导体制造
牛津仪器EDSX-Max TEM用于测定Power Semiconductors,符合行业标准Oxford Instruments。适用Power Semiconductors项目。 半导体
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硅漂移探测器牛津仪器X-MaxN 应用于电子/半导体
:X-MaxN 的晶体尺寸从适合于微米分析的20 mm2到纳米材料分析专用150 mm2的共四种可选。尤其是150 mm2为当今晶体面积zei大的探测器,分析速度至少是普通探测器的两倍。总览探测器晶体
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硅漂移探测器X-MaxN牛津仪器 应用于电子/半导体
:X-MaxN 的晶体尺寸从适合于微米分析的20 mm2到纳米材料分析专用150 mm2的共四种可选。尤其是150 mm2为当今晶体面积zei大的探测器,分析速度至少是普通探测器的两倍。总览探测器晶体
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