-
Omni-TAM900 宽场飞秒瞬态吸收成像系统
-
卓立汉光Omni-TAM900宽场飞秒瞬态吸收成像系统 应用于能源领域
中的边缘物理态研究二维WS2中激子分布情况,激子寿命研究。可以看到,多层的边缘具有更高激子密度和更长激子寿命技术参数 光源飞秒激光 +OPA,激光波长范围取决于应用场景检测器sCMOS成像空间分辨率
-
卓立汉光Omni-TAM900宽场飞秒瞬态吸收成像系统 应用于化学领域
中的边缘物理态研究二维WS2中激子分布情况,激子寿命研究。可以看到,多层的边缘具有更高激子密度和更长激子寿命技术参数 光源飞秒激光 +OPA,激光波长范围取决于应用场景检测器sCMOS成像空间分辨率
-
卓立汉光Omni-TAM900宽场飞秒瞬态吸收成像系统应用于材料领域
边缘物理态研究二维WS2中激子分布情况,激子寿命研究。可以看到,多层的边缘具有更高激子密度和更长激子寿命技术参数 光源飞秒激光 +OPA,激光波长范围取决于应用场景检测器sCMOS成像空间分辨率500
-
卓立汉光Omni-TAM900宽场飞秒瞬态吸收成像系统
-
卓立汉光Omni-TAM900宽场飞秒瞬态吸收成像系统 应用于物理领域
中的边缘物理态研究二维WS2中激子分布情况,激子寿命研究。可以看到,多层的边缘具有更高激子密度和更长激子寿命技术参数 光源飞秒激光 +OPA,激光波长范围取决于应用场景检测器sCMOS成像空间分辨率
-
高精度激光扫描显微镜
-
Omni-iLamp-TA瞬态吸收光谱系统
对于理解物理和化学中的最基本过程起到了非常重要的促进作用,在微观时间尺度上对分子各种动力 学行为进行探测并提供解析的依据。还可以对一些表观层面的现象进行更加深入的理解 和阐释。
-
激光共聚焦无液氦低温强磁场共聚焦显微镜-attoCFM 可检测单层二硒化钨
致发光谱的表征发现在零磁场下样品存在0.71meV的能量差并且该材料中存在超大激子g参数。经过分析,该单光子发射很可能是由中性激子被缺陷态束缚在二维晶体中引起的。 作者预见该单光子发射中的物理机制的
-
无液氦低温强磁场共聚焦显微镜-Attocube Systems AG激光共聚焦 应用于电子/半导体
下样品存在0.71meV的能量差并且该材料中存在超大激子g参数。经过分析,该单光子发射很可能是由中性激子被缺陷态束缚在二维晶体中引起的。 作者预见该单光子发射中的物理机制的进一步证实与该材料
想在此推广您的产品吗?
咨询热线: 010-84839035
联系邮箱: sales@antpedia.net