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光电二极管
技术参数:主要技术参数: 型号 材料 工作波长(nm) 光敏面(mm2(mm)) 封装 上升/下降沿时间RL=50Ω FGA04 InGaAs 800-1800 0.008 (Ø0.1
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超薄光电二极管功率探头
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Fermionics 高速InGaAs光电二极管
;5.光灵敏区域直径:50、80、100、150和300微米;6.存储温度:-40~100℃;工作温度:-40~85℃。大面积InGaAs光电二极管(FD500~FD5000W) Fermionics
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标准光电二极管功率探头
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S2281 硅光电二极管
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InGaAs 单光子雪崩光电二极管
is clean before connecting it to opto-circuit. 专为单光子探测应用设计,盖革模式工作 MP5522型系列盖革模式InGaAs 单光子雪崩光电二极管2
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超大探测面积 InGaAs光电二极管
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大光敏面锗光电二极管
备有各种有效面积和封装的PIN结二极管(PD),包括铟镓砷(InGaAs)、磷化镓(GaP)、硅(Si)和锗(Ge)光电二极管。 IRD-GE-05 Ge大光敏面锗光电二极管-近红外波长
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S1087 硅光电二极管
to 730 nm 峰值波长 560 nm 灵敏度 0.3 A/W 暗电流 10 pA 上升时间(典型值) 0.5 μs 结电容 200 pF S1087是一款低暗电流陶瓷封装光电二极管
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超大光敏面锗光电二极管
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