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AT-400 原子层沉积
原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法,是一种可以将物质以单原子膜形式逐层
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原子层沉积系统(ALD)
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ALD原子层沉积设备-SVT
NorthStar ALD系统介绍:NorthStar ALD原子层沉积系统提供各种淀积方法,包括热淀积以及能量增强淀积。每台设备可以提供多达8个先驱源管路以及一个热壁淀积腔,使其应用范围极为
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SUPERALD Exploiter原子层沉积大尺寸沉积系统
设备规格工艺温度:温度范围:RT~500°C 精度:土1°C(可定制)前驱体路数:支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶加热系统:可加热温度范围:RT~150℃反应物路数:支持2路
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P 系列粉末原子层沉积系统
P 系列粉末原子层沉积系统粉末包覆可有效提升材料性能与使用寿命,如锂电正极或负极材料,经过表面包覆处理后在放电性能及循环使用寿命方面都有明显提升,但目前工业的包覆手段以机械混合的干法为主,该
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美国ARRADIANCE台式原子层沉积系统
,只需风冷,zei高运行功率达300W。l 标配3组气流质量控制计(MFC)控制的等离子气源线,和一条MFC控制的运载气体线,使难以沉积的氧化物、氮化物、金属也可以实现均匀沉积。 台式三维原子层沉积
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NLD-4000 (M) 原子层沉积系统
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NLD-3000 ALD原子层沉积系统
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PANDORA 多功能台式原子层沉积系统
PANDORA 多功能台式原子层沉积系统很多人相信,潘多拉的魔盒还埋藏着尚未开发的宝物——希望!正是基于对于新技术应用的美好愿景,Forge Nano 开发了 PANDORA 台式原子层沉积
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SUPERALD 原子层沉积 手套箱集成系列
设备规格工艺温度:温度范围:RT~500°C (可定制)前驱体路数:支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶加热系统:可加热温度范围:RT~150℃反应物路数:支持2路反应物气路(可
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