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聚焦离子束电子束双束显微镜 DB500
产品参数电子束系统电子枪类型高亮度肖特基场发射电子枪分辨率1.2 nm@15 kV加速电压20 V ~ 30 kV离子束系统离子源类型液态镓离子源分辨率3 nm@30 kV加速电压500 V
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Helios G4 UX 用于材料科学聚焦离子束电子束双束系统
may be available only on the MultiChem or on the Single GIS 聚焦离子束电子束双束系统-用于金属、半导体、电介质、多层膜结构等固体样品上制备
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日本电子JBX-3200MV电子束光刻系统
产品规格:拼接精度≦±3.5 nm套刻精度≦±5 nm JBX-3200MV是用于制作28nm~22/20nm节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统
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日本电子JBX-9500FS电子束光刻系统
产品规格:电子枪ZrO/W 肖特基型描画方式圆形束, 矢量扫描, 步进重复式加速电压100kV样品尺寸 样品尺寸 (可以安装): zei大300mmΦ的晶圆片, zei大6英寸的掩模版, 任意
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日本电子JBX-6300FS 电子束光刻系统
直径为(计算值)2.1nm的电子束,简便地描画出线宽在8nm以下(实际可达5nm)的图形。 此外,该光刻系统还实现了9nm以下的场拼接精度和套刻精度,性能比优越。 利用zei细电子束束斑(实测值直径
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日本电子JBX-3050MV 电子束光刻系统
产品规格:拼接精度≦±3.8 nm套刻精度≦±7 nm JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统
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450型电子束蒸发镀膜系统
:质量流量控制器1路 石英晶振膜厚控制仪:监测膜厚显示范围:0-99μ9999? 450型电子束蒸发镀膜系统用于制备导电薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、光学薄膜等,广泛应用于大专院校、科研机构的科研及
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GSL-ZDDZS-500电子束蒸镀
的优点,还具有蒸镀速率快,电子束定位准确能量密度高,可以避免坩埚材料的污染等特点。 产品简介:用于制备超导薄膜、半导体薄膜、铁电薄膜、超硬薄膜等。广泛应用于大专院校、科研院所进行薄膜材料
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高精度电子束曝光系统
ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统,其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125) ELS-F125是Elionix推出
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日本电子JBX-8100FS 圆形电子束光刻系统
程序的追加授权 zei新高精密JBX-8100FS圆形电子束光刻系统,通过全方位的设计优化,实现更简便的操作,更快的刻写速度,更小的占地面积和安装空间,并且更加绿色节能。JBX-8100FS 圆形
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