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砷化铟探测器
仪器简介:砷化铟探测器提供不同级别半导体制冷,覆盖波长范围为1um-3.8um。砷化铟探测器还可提供优秀的脉冲响应,适合监控探测快速脉冲激光。技术参数:砷化铟探测器提供不同级别半导体制冷,覆盖
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砷化铟探测器
仪器简介: ■ 砷化铟探测器(InAs) ———近红外探测器 波长范围:1-3.8μm 技术参数: 主要技术指标 型号/参数
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砷化铟(InAs)晶体基片
产品名称:砷化铟(InAs)晶体产品简介:技术参数:晶体结构:立方 a =5.4505 ?生长方法:CZ导电类型:N型掺杂类型:不掺杂载流子浓度:2 ~ 5E16 / cm3 迁移率
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铟镓砷探测器
仪器简介:铟镓砷探测器 工作在0.8um-2.6um的波长范围内,提供快速响应时间、一致性好、极好的灵敏度及长时间工作的稳定性技术参数:铟镓砷探测器工作在0.8um-2.6um的波长范围内
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大面积铟镓砷探测器
大面积铟镓砷探测器Large Area InGaAs PhotodiodesDownload DatasheetFeatures:• Active Diameter (0.5mm to 5mm
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1.9-2.6um铟镓砷探测器
1.9-2.6μm铟镓砷探测器Extended InGaAs Photodiodes Features: • Active Diameter (0.3mm to 3mm) • Cutoff
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锑化铟(InSb)晶体基片
产品名称:锑化铟(InSb)晶体基片产品简介:技术参数: 单晶 InSb 掺杂 None;Te;Ge 导电类型 N;N;P 载流子浓度cm-3 1-5x1014 1-2x1015 位错密度cm-2
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锑化铟探测器
仪器简介: ■ 锑化铟探测器(InSb) ———液氮制冷型红外探测器,波长范围:1~5.5μm 技术参数: 型号列表及主要技术指标: 型号/参数
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砷化镓(GaAs)晶体基片
产品名称:砷化镓(GaAs)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:砷化镓(GaAs)掺杂:None;Si;Cr;Te;Zn导电类型:Si;N;Si;N;P载流子浓度cm-3:/> 5x1017
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22GHz InGaAs 铟镓砷 高速光电探测器
Specificationsa120-10140-0001(ET-3600)120-10142-0001(ET-3600F)Detector MaterialInGaAsInGaAsRise
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