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聚焦离子束系统
操作系统上的SmartSEM操作界面。由鼠标,键盘,操作杆控制或控制板(可选) 这是一台zei新设计的聚焦离子束系统,具备高分辨率成像功能。它由电子束系统(SEM)和离子束系统(FIB)组成,可以
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离子束刻蚀/沉积系统
电子回旋共振技术(ECR)的小型离子束蚀刻系统,特别适合于科研用离子束刻蚀、减薄,清洗、沉积等。 EIS-200是Elionix推出的一款基于电子回旋共振技术(ECR
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NIE-4000 (M) IBE离子束刻蚀
源用于钝化层沉积 NANO-MASTER的离子束刻蚀系统具有很强的适应性,可根据不同的应用而按不同的配置进行建构。多样的样片夹具和离子源配置可支持用户不同的应用。 NIE-4000(M)IBE
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NIE-3000 (C) 离子束清洗系统
离子束:高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径:4“,5“,6“兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮
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NIE-3500 (M) IBE离子束刻蚀
表面清洗表面处理离子铣带活性气体的离子束刻蚀光栅刻蚀SiO2,Si和金属的深槽刻蚀 该系统为计算机全自动实现工艺控制的紧凑型独立的立柜式离子束刻蚀系统,具有结构紧凑、功能强大、自动化程度高
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NIE-3500 (MC) 离子束清洗系统
离子束:高达2KV/10mA离子电流密度100-360uA/cm2离子束直径:4",5",6"兼容反应及非反应气体(Ar, O2, CF4,Cl2)极限真空5x10-7Torr260l/s涡轮
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NIE-3500 (A) 全自动IBE离子束刻蚀
NIE-3500(A)全自动IBE离子束刻蚀产品应用:表面处理离子铣表面清洗带活性气体的离子束刻蚀: 光栅刻蚀,以及SiO2,Si和金属的深槽刻蚀 该系统为全自动上下载片,并且通过计算机
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NIE-4000 (A) 全自动IBE离子束刻蚀
14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅
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NIE-4000 (R) RIBE反应离子束刻蚀
14.5”不锈钢立体离子束腔体16cm DC离子枪1200eV,650mA, 气动不锈钢遮板6”水冷样品台晶片旋转速度3、10RPM,真空步进电机典型刻蚀速率:铜200 ?/min, 硅
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日本电子 JIB-4600F 聚焦离子束
主要特点:? 浸没式热场发射电子枪提供高稳定的电子束束流,与最佳光栏角控制透镜配合获得高分辨图像. ? 电子束大电流高速分析电子束最大束流强度200nA ? 离子束大电流模式 加工速度很快
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