二维材料表面电位测量无随着传统场效应晶体管 (FET) 的逐渐规模化,如何克服短沟道效应的不利影响变得越来越重要。在这里,二维 (2D) 材料能够将载流子限制在一个平面内,进而改善静电栅极的控制,并能够进一步扩展摩尔定律。在二维材料
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