~1700VSiCSBD、MOSFET已经实现产业化,主流产品耐压水平在1200V以下,封装形式以TO封装为主。价格方面,国际上的SiC产品价格是对应Si产品的5~6倍,正以每年10%的速度下降,随着上游材料器件纷纷扩产上线,未来2~3年后市场供应
来源:广州淘仪科技有限公司 应用
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