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精选上海纳腾高精度电子束曝光系统
ELS-F125是Elionix推出的世界上首款加速电压高达125KV的电子束曝光系统,其可加工线宽下限为5nm的精细图形。(以下参数基于ELS-F125)
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多功能电子束曝光机
电子束光刻系统EBL (E-Beam Lithography) 电子束直写系统
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JBX-3050MV 电子束光刻系统
是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统利用步进重复式曝光的优点,结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能,能支持下一代掩模版/中间掩模版(mask/reticle)图形制作所需要的多种补偿
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JBX-3200MV电子束光刻系统
是基于加速电压50 kV的可变矩形电子束和步进重复式的光刻系统利用步进重复式曝光的优点,结合曝光剂量调整功能及重叠曝光等功能,能支持下一代掩模版/中间掩模版(mask/reticle)图形制作所需要的多种补偿
日本电子株式会社(JEOL) 400-6699-117 转 6205免费咨询 -
精选3D纳米结构高速直写机
NanoFrazor—3D纳米加工新技术,IBM采用T-SPL技术,实现3D纳米结构快速直写,10nm精度(线宽和间距),实时形貌观察, 轻松完成二维纳米器件无标记套刻与加工,无电子损伤,性价比高,易维护易操作。
清砥量子科学仪器(北京)有限公司 400-6699-117 转 2004免费咨询 -
基于改装SEM的扫描电子束曝光系统
由于SEM、STEM及FIB的工作方式与电子束曝光机十分相近,美国JC Nabity Lithography Systems公司成功研发了基于改造商品SEM、STEM或FIB的电子束曝光装置(Nanometer
南京覃思科技有限公司 400-6699-117 转 9377免费咨询 -
电子束曝光系统
技术参数: 电子束光刻系统/电子束直写系统/电子束曝光系统 1.zei小线宽:小于10nm(8nm available) 2.加速电压:1-50kV 3.电子束直径:小于2nm 4.套刻精度
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基于改装SEM的扫描电子束曝光系统
技术描述: 为满足纳米级电子束曝光的要求,JC Nabity的NPGS系统设计了一个纳米图形发生器和数模转换电路,并采用PC机控制。
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BS-EBM系列多用途电子束熔炼炉
材料供应机+ 熔液箱 +转筒式结晶器 熔解・精炼・积层凝固材料供应机将颗粒材料投入熔液箱进行预熔、然后将熔料注入转筒式结晶器,进行积层凝固。
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电工所DY-2000A电子束纳米曝光系统
核心纳米图形发生器采用高速DSP与16位数模转换电路,扫描频率优于10MHz,可实现高精度图形曝光与实时跟踪。
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