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牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN—刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP—感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs—刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb—刻蚀锑化镓刻蚀GaN—刻蚀氮化镓刻蚀
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Obducat电子束刻蚀系统
仪器简介:1998年Obducat公司并购了在SEM有三十年经验的Camscan,并结合自身在纳米压印设备以及光存储设备的开发经验,研发了电子束刻蚀设备,提供EBR-30kV
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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牛津仪器PlasmaPro 100 Cobra刻蚀和沉积设备
PlasmaPro 100系列刻蚀和沉积设备可安装多种衬底电极,能够在很宽的温度范围内进行工艺,具有200mm单晶圆和多晶圆批处理能力,该工艺模块可提供具有高度均匀,高产量和高精度的工艺。
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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备 高刻蚀速率腔刻蚀
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Gatan 精密刻蚀镀膜系统PECS II 685
ALT 327,为 ALTO 冷冻扫描电镜系统而设计的撞击式冷冻制样设备,提供了样品载体和样品载台,它们可以放置在 ALTO 2500 冷冻工作站或ALTO 1000 的液氮泥加工站中*。
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牛津仪器PlasmaPro100 Estrelas刻蚀设备 锥形通孔刻蚀
纳米技术市场的各种工艺要求。考虑到研究和生产的市场发展,PlasmaPro 100 Estrelas 提供了工艺灵活性。光滑侧壁工艺高刻蚀速率腔刻蚀高深宽比工艺锥形通孔刻蚀广泛的应用领域机械或静电压盘
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牛津仪器PlasmaPro 100 ALE原子层刻蚀 应用VCSEL GaAs/AlGaAs刻蚀
我们的设备和工艺已通过充分验证,正常运转时间可达90%以上,一旦设备安装完毕,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市场应用广,包括但不限于: MEMS和传感器、光电子、分立元器件和纳米技术。
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Nanonex Lumina-200
Lumina-200独立式高分辨率光刻/对准器。 Lumina系列为电子,光电,MEMS和许多其他应用中的高分辨率,精确对准,接触和接近光刻提供了高质量,可靠且经济高效的解决方案。 它具有易于使用的
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JBX-3050MV 电子束光刻系统
JBX-3050MV 电子束光刻系统JBX-3050MV 是用于制作45nm~32nm 节点的掩模版/中间掩模版(mask/reticle)的可变矩形电子束光刻系统。 zei先进的技术实现了高速
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